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Small Signal MOSFETs | FDG6301N_F085
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此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。
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- 25 V、0.22 A 持续电流，0.65 A 峰值。
- RDS(ON) = 4 W Ω VGS= 4.5 V，
- RDS(ON) = 5 W Ω VGS= 2.7 V。
- 极低电平的栅极驱动要求允许直接在 3 V 电路 (VGS(th) < 1.5 V) 中进行操作。
- 栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（>6kV人体模型）。
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
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FDG6301N-F085
Pb
A
H
P
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
1
260
REEL
3000
N
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-88-6
Small Signal
Logic
0
Dual
0
25
-
8
1.5
0.22
0.3
Q1=Q2=5000
Q1=Q2=4000
1.1
0.29
9.5
-
-
-
-
Price N/A
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FDG6301N-F085P
Pb
A
H
P
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
1
260
REEL
3000
N
N-Channel
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SC-88-6
Small Signal
Logic
0
Dual
0
25
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8
1.5
0.22
0.3
Q1=Q2=5000
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