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Small Signal MOSFETs | FDG6332C_F085
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此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 TSSOP-8 和 SSOP-6 封装的应用，可利用其非常小的占位提供出色的功率耗散。
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- Q1 0.7 A、20 V。RDS(ON) = 300 mΩ (VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (VGS = 2.5 V)
- Q2 -0.6A, -20V。RDS(ON) = 420 mΩ (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 630 mΩ (VGS = -2.5 V)
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)
- SC70-60封装小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
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PowerTrench® T1
SC-88-6
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±1.5
N: 0.7, P: -0.6
0.3
N:400, P:630
N: 300, P: 420
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