小信号MOSFET | FDMB2308PZ
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此器件专门设计用作锂离子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装方案。它具有两个共漏极 P 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向，基于安森美半导体先进的 PowerTrench® 工艺以及最新的 MicroFET 引线框架，FDMB2308PZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。
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- 最大值 rS1S2(on) = 36 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -5.7 A
时） - 最大值 rS1S2(on) = 50 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -4.6 A
时） - 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
- HBM静电放电保护等级为2.8kV（注3）
- 符合 RoHS 标准
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