N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V,60A,9mΩ

Obsolete

概览

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比,此类 MOSFET 开关速度更快,门极电荷更低。因此,该 MOSFET 驱动简单,也更安全(即使在非常高的频率下亦是如此),DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 60 A,30 V
  • RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 在高温下指定的临界DC电气参数
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 175°C最大结温额定值

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDP7030BL

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

9

20

3

60

60

-

12

-

17

1760

-

-

-

-

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