Small Signal MOSFETs | FDS6912

双 N 沟道，逻辑电平，PWM 优化，PowerTrench® MOSFET，30V，6A，28mΩ

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此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.028。 @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.042 。 @ VGS = 4.5 V。
  • 优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
  • 极快速开关
  • 低栅极电荷

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDS6912

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

30

Q1=Q2=28

25

3

6

2

NA

-

5

7

NA

-

-

-

-

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