P 沟道,2.5V 指定,MOSFET,-20V,-3.5A,130mΩ

Obsolete

概览

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用专属的高单元密度沟槽 DMOS 工艺生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,同时提供卓越的开关性能。

  • 信息娱乐
  • 便携导航
  • 信息娱乐
  • 其他
  • 传动系
  • 安全和控制
  • 舒适与便捷
  • 人体电子
  • 车辆安全系统
  • 其他车用

  • -3.5 A、-20 V、RDS(ON) = 0.130 Ω (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 0.180 Ω (VGS = -2.5 V)
  • 快速开关速度
  • 高密度单元设计可实现极低的DS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDS9431A_F085

Buy/Parametrics Table

搜寻

Close Search

产品:

2

分享

产品系列:

可订购器件:

2

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS9431A-F085

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

0.13

8

-1

-3.5

2.5

NA

180

6.2

6

NA

1.3

-

170

45

Price N/A

More Details

FDS9431A-TF085

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Standard

0

NA

0

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

NA

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.