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Small Signal MOSFETs | FDT86106LZ
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- DC-DC Conversion
- VGS = 10 V，ID = 3.2 A时，最大rDS(on) = 108 mΩ
- VGS = 4.5 V，ID = 2.7 A时，最大rDS(on) = 153 mΩ
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
- HBM静电放电保护等级为>3 KV，典型值（注4）
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
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FDT86106LZ
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Pb
A
H
P
SOT-223-4 / TO-261-4
1
260
REEL
4000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-4
Small Signal
Logic
0
Single
0
100
108
±20
2.2
3.2
2.2
-
153
-
2.4
234
0.9
21
46
3.1
$0.4692
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