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Small Signal MOSFETs | FDV302P
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此 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 P 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 DTCx 和 DCDx 系列。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- -25V、-0.12A（连续值）、-0.5A（峰值） RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V、RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V。
- 栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
- 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
- 用一个DMOS FET替代多个PNP数字晶体管（DTCx和DCDx）。
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FDV302P
Pb
A
H
P
SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P
1
260
REEL
3000
N
P-Channel
PowerTrench® T1
SOT-23-3/5
Small Signal
Logic
0
Single
0
-25
-
-8
-1.5
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0.35
NA
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