N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,55V,35A,34mΩ

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此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻,从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量,二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品中的功率管理。之前的开发型号为 TA75321。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机

  • 35A、55V
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 相关文献 - TB334,“PC板焊接表面贴装组件的指南”

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUF75321P3

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Small Signal

Standard

0

Single

0

55

34

±20

4

35

93

-

-

-

21

680

9

82

270

60

$0.5919

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