Small Signal MOSFETs | HUF75345G3

N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，75A，7mΩ

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此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机

  • 75 A、55 V
  • 温度补偿式 PSPICE® 和 SABER™模型
  • 热阻 SPICE 和 SABER 模型请参考网站
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS 额定值曲线
  • 相关文献
  • TB334，“PC 板焊接表面贴装元件指南” 这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET® 工艺制造 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

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Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUF75345G3

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Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

Small Signal

Standard

0

Single

0

55

7

±20

4

75

325

-

-

-

125

4000

58

80

1450

450

$2.1145

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Device: HUF75345G3

Equivalent to wafer fab process: U2

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

U2

0

3282858009

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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