Name: 60V, 5.1A,41mΩ, SO-8, Logic Level Dual N-Channel PowerTrench®
Brand: 60V, 5.1A,41mΩ, SO-8, Logic Level Dual N-Channel PowerTrench®
SKU: HUF76413DK_F085

60V，5.1A，41mΩ，SO-8，逻辑电平，双 N 沟道，PowerTrench®

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此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET® 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。

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150°C 最大结温
UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
超低通态电阻^rDS(ON) = 0.049Ω, VGS = 10V
超低通态电阻^rDS(ON) = 0.056Ω, VGS = 5V
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准

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MSL Temp (°C)

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Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

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Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_d Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

Reference Price

HUFA76413DK8T-F085

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