Small Signal MOSFETs | HUFA75307T3ST

N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，2.6A，90mΩ

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此 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET® 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75307。

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  • 其他车用
  • 其他

  • 2.6 A、55 V
  • 超低通态电阻，rDS(ON) = 0.090Ω
  • 二极管同时呈现高速和软恢复能力
  • 温度补偿式PSPICE®模型
  • 热阻抗SPICE模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS 额定值曲线
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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUFA75307T3ST

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Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

260

REEL

4000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-223-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

55

90

±20

4

2.6

1.1

-

-

-

8.3

250

4

50

115

30

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Device: HUFA75307T3ST

Equivalent to wafer fab process: U2

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

U2

0

3282858009

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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