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Small Signal MOSFETs | NDP7060
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此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 75 A，60 V。 RDS(ON) = 0.013 Ω @ VGS= 10 V。
- 在高温下额定的临界DC电气参数。
- 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 175°C最大结温额定值。
- 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
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NDP7060
Pb
A
H
P
TO-220-3
NA
0
TUBE
800
N
N-Channel
PowerTrench® T1
TO-220
Small Signal
Standard
0
NA
0
60
13
±20
4
75
115
-
-
3.7
100
2960
51
-
1130
380
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