Small Signal MOSFETs | NDS355AN
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SuperSOT™-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 1.7 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 0.085 Ω @ VGS = 10 V - 采用专有SuperSOT™-3技术设计的工业标准SOT-23表面贴装封装，可实现卓越的热性能和电气性能
- 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
- 紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装
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