N 沟道增强型场效应晶体管,30V,7.2A,35mΩ

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功率 SOT N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用,如直流电机控制和 DC/DC 转换。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 7.2 A,30 V。 RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS = 10V, RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS = 4.5V.
  • 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
  • 采用广泛使用的表面贴装封装,具有高功率和高电流处理能力。

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Logic

0

NA

0

30

35

20

3

7.2

3

-

50

-

19

720

-

-

-

-

$0.4368

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