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Small Signal MOSFETs | NDT456P
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功率 SOT P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。此类器件非常适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 7.5 A，30 V
RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -10 V
RDS(ON) = 0.045 Ω @ VGS = -4.5 V - 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
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