Small Signal MOSFETs | NVF3055-100

N 沟道，功率 MOSFET，60V，3A，110mΩ

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汽车用功率 MOSFET。适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。 60V，3A，100mΩ，单 N 沟道，SOT-223。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET 且具有 PPAP 能力，适用于汽车应用。

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  • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

NVF3055-100T1G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318E-04

1

260

REEL

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-223-4

Small Signal

Standard

0

NA

0

60

110

20

4

3

2.1

NA

-

-

10.6

NA

-

40

25

110

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Device: NVF3055-100T1G

Equivalent to wafer fab process: TMOS 7

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

TMOS 7

0

3196308988

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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