Silicon Carbide (SiC) Modules | NVVR26A120M1WST
概览
NVVR26A120M1WST属于EliteSiC功率模块系列，适用于混动（HEV）汽车主驱逆变器应用。这款模块由两个半桥配置的1200V SiC MOSFET组成。EliteSiC芯片组采用安森美的M1 SiC技术，提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，为电动汽车主驱应用带来业界领先的性能。
- 汽车主驱逆变器
- 用于纯电动汽车、插电混动汽车和强混动汽车的主驱逆变器
- 半桥单侧散热
- 超低的杂散电感
- 超低Rds_on
- 连续工作Tj_max = 175°C
- 车规级EliteSiC MOSFET芯片技术
- 裸芯烧结工艺
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NVVR26A120M1WST
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Pb
A
H
P
AHPM15−CDA MODULE
NA
0
TUBE
6
F
Half-Bridge
1200
2.6
Automotive Traction Inverter
$408.0298
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