Silicon Carbide (SiC) Modules | NVVR26A120M1WST

碳化硅（SiC）模块 - 用于主驱逆变器的EliteSiC功率模块，单侧散热，2.6mΩ Rds_on 1200V，半桥，90° Power Tab封装

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NVVR26A120M1WST属于EliteSiC功率模块系列，适用于混动（HEV）汽车主驱逆变器应用。这款模块由两个半桥配置的1200V SiC MOSFET组成。EliteSiC芯片组采用安森美的M1 SiC技术，提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，为电动汽车主驱应用带来业界领先的性能。

  • 汽车主驱逆变器

  • 用于纯电动汽车、插电混动汽车和强混动汽车的主驱逆变器

  • 半桥单侧散热
  • 超低的杂散电感
  • 超低Rds_on
  • 连续工作Tj_max = 175°C
  • 车规级EliteSiC MOSFET芯片技术
  • 裸芯烧结工艺

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