Silicon Carbide (SiC) Modules | NXH003P120M3F2PTNG

碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC系列 3mohm SiC M3S MOSFET 1200V，2-PACK半桥拓扑，F2封装

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NXH003P120M3F2PTNG是一个电源模块，包含3毫欧/1200V SiC MOSFET半桥以及一个热敏电阻，采用F2封装的 Si3N4 DBC。SiC MOSFET开关使用M3S技术，由18V-20V的栅极驱动。

  • DC-AC转换
  • DC-DC转换
  • AC-DC转换

  • UPS
  • 能源储存系统
  • 电动汽车充电站
  • 光伏逆变器

  • 15V到18V栅极驱动
  • 3 mohm/1200V M3S SiC MOSFET半桥
  • 无铅、无卤素，并符合RoHS标准

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EV Charging, Energy Infrastructure

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