Protected MOSFETs | NIMD6001

MOSFET 驱动器 60 V，3.3 A 130 mΩ 双 N 沟道，带诊断输出

Consult Sales Office

Request Datasheet

产品

相似产品推荐

概览

NIMD6001N 是一款双 3 A 低压侧开关，带集成式共禁用输入和漏极诊断输出。 将禁用引脚拉至低电平将超越应用的任何门极电压，并关断两个 FET 开关。 如果漏极-源极电压超过大约 50V，则逻辑 1 在诊断/反馈引脚上有效。 内部隔离二极管允许多个器件的禁用和诊断/反馈引脚在有线 OR 配置中进行互联，而无需额外部件。

  • Injector Driver

  • Automobiles

  • 110m Maximum RDSON at VGS=10V
  • Avalanche Energy Specified
  • Gate Drive Disable Input
  • Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output
  • Electrically Isolated Drains
  • Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current
  • AEC-Q101 Qualified

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to NIMD6001

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

产品列表

如需购买产品或样品，请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

V(BR)DSS Min (V)

ID Typ (A)

rDS(on) Max (mΩ)

PD Max (W)

Reference Price

NIMD6001NR2G

Contact Sales

Consult Sales Office

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751-07

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

60

3

130

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.