Silicon Carbide (SiC) Diodes | FFSH40120ADN

碳化硅肖特基二极管

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碳化硅肖特基二极管没有开关损耗，通过采用新型的半导体材料——碳化硅——比硅二极管具有更高的系统效率，支持更高的工作频率，有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压条件下的稳健运行。

  • 最大结温为 175 °C
  • 耐雪崩额定值为 200 mJ
  • 高浪涌电流能力
  • 正温度系数
  • 无反向恢复/无正向恢复

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