FFSP3065A: 碳化硅肖特基二极管

Datasheet: Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 30 A
Rev. 3 (397kB)
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碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,由于采用新型半导体材料——碳化硅,提供比硅二极管更高的系统效率,支持更高的运行频率,并且有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行
特性
 
  • 最大结温 175 °C
  • 雪崩额定值 180 mJ
  • 高浪涌电流能力
  • 正温度系数
  • 无反向恢复/无正向恢复
应用
  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB Active
Pb-free
6.6kW OBC SiC model
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FFSP3065A Active
Pb-free
Halide free
FFSP3065A TO-220-2 340BB NA Tube 800 $6.1188
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 2,400

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Device Grade
Configuration
VRRM (V)
IF(ave) (A)
VF (Max)
IFSM (A)
IR (Max) (µA)
Package Type
FFSP3065A  
 $6.1188 
Pb
H
 Active   
Commercial
Single
650
30
1.75
150
200
TO-220-2
外形
340BB   
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