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Overview

安森美的SiC JFET是一款高性能、常导型晶体管,额定电压范围为650V至1700V。凭借碳化硅技术的天然优势,该器件具备超低导通电阻RDS(on)、低栅极电荷(Qg)以及高频开关能力,既能降低导通损耗和开关损耗,又能最大限度地提高功率密度。其高效架构占用的芯片面积远小于其他技术,支持紧凑、高性能的系统设计。

SiC JFET经过优化,可实现高效功率转换,非常适合用于电源单元(PSU)、中间母线转换器(IBC)以及高压DC-DC转换器,以满足AI数据中心基础设施日益增长的供电需求。这些器件在热插拔、电子熔丝(eFuse)和线性模式应用中同样表现出色,可在固态断路器(SSCB)、电动汽车电池断开单元(BDU)以及先进的配电系统中实现快速、可靠的保护与控制。

Browse 碳化硅(SiC)JFET

650V JFET

RDS(on)范围:25-80mΩ

750V JFET

RDS(on)范围:4-5mΩ

1200V JFET

RDS(on)范围:7-70mΩ

1700V JFET

RDS(on): 400mΩ

Application Examples

采用源极切换式SiC JFET的反激式转换器

分立式1.7 kV SiC JFET搭配30V Si MOSFET,采用级联配置,用作反激式电源中的主功率开关。

AI数据中心 - 热插拔

在数据中心的热插拔操作中,若将输入电容未充电或仅部分充电的电源插入带电机架,可能会产生显著的浪涌电流。这种电流突增可能会导致直流母线电压下陷,进而引发控制器复位和系统不稳定。SiC JFET浪涌电流限制功能可防止此类大电流尖峰,从而确保可靠的热插拔操作。

固态电路断路器(SSCB)

SSCB是一种用于保护电气电路免受过电流、过载或短路损坏的装置。它利用电子元件检测并切断故障状态,从而确保电气系统的安全性和可靠性。

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JFET入门指南——碳化硅JFET的结构与工作原理

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SiC JFET在有源模式中的应用​

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基于源极切换型SiC JFET的反激式转换器设计

应用说明

在LTSPICE中采用SiC JFET模型

应用说明

基于EliteSiC JFET的高压热拔插应用

自学资料

电力电路技术进展:固态断路器中的碳化硅JFET

参数表

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Status

Compliance

Family

Drain Source Voltage

≥

V

≤

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≥

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Package

Qg (nC)

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C

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Output capacitance Coss (pF)

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TO-247-4L

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