Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | NTBG014N120M3P

碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，14 mohm，1200V，M3P，D2PAK-7L封装

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全新系列1200V M3P平面型SiC MOSFET，优化用于电源应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。这一系列在用18V栅极驱动时能提供最佳性能，但同样适用15V栅极驱动。

  • AC-DC转换
  • DC-AC转换
  • DC-DC转换

  • UPS
  • 电动车充电桩
  • 光伏逆变器
  • 储能系统

  • 用于低共源电感的D2PAK-7L封装
  • 15V至18V栅极驱动
  • 全新M3P技术：14mohm RDS(ON)，低EON和低EOFF损耗
  • 100%通过雪崩测试

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Tj Max (°C)

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NTBG014N120M3P

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A

H

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D2PAK7 (TO-263-7L HV)

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REEL

800

F

M3P

1200

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14

329

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175

$19.8363

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