Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | NVC160N120SC1

碳化硅MOSFET，N沟道，1200V 160 mΩ，裸芯

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碳化硅MOSFET采用全新工艺技术，相较于硅基款，能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI，以及更小的系统尺寸和成本。

  • On Board Charger (OBC)
  • DC DC Inverter
  • Automotive EV/HEV
  • 1200 V
  • High Speed Switching with Low Capacitance
  • 100% UIL Tested
  • Qualified for Automotive According to AEC−Q101

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