IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD3150

高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器

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FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。
该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar®，优化了IC设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了高抗噪能力。
它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

  • AC-DC商用电源
  • 发电和配电
  • 工业级电机
  • 不间断电源

  • 具有20kV/µs（最小值）共模抑制特点的高抗噪能力
  • 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨
  • 15V至30V的宽电源电压范围
  • 快速开关速度
  • 500ns（最大值） 传播延迟
  • 300ns（最大值） 脉宽失真度
  • 带滞后的欠压锁存(UVLO)扩展工业温度范围-40°C至100°C
  • 安全和法规认证（待审批）
  • UL1577，5000 RMS持续1分钟
  • IEC60747-5-2（待审批）
  • >8.0mm间隙和爬电距离（选项‘T’）
  • 工业转换器
  • 不间断电源
  • 工业加热
  • 隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动

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IFLH (Max) (mA)

IDDL, IDDH (Max) (mA)

IOL, IOH (Min) (A)

tPHL, tPLH (Max) (ns)

PWD (Max) (ns)

VUVLO (Typ) (V)

VUVLO- (Typ) (V)

CMR (Min) (kV/µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

Reference Price

FOD3150

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CAD Model

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A

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PDIP-8

646CQ

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0

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5

1

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300

12.7

11.2

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5000

-40

100

$0.6173

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FOD3150S

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$0.734

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FOD3150SD

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FOD3150SDV

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FOD3150SV

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FOD3150TSR2V

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FOD3150TSV

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FOD3150TV

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FOD3150V

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Device: FOD3150

Equivalent to wafer fab process: BB,GA

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

BB,GA

0

58865369

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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