IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD3184

3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器

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FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

  • AC-DC商用电源
  • 发电和配电
  • 工业级电机
  • 不间断电源

  • 具有35kV/µs共模抑制特点的高抗噪能力
  • 保证工作温度范围为-40°C至100°C
  • 为中等功率的MOSFET/IGBT提供最低3A的峰值输出电流
  • 快速开关速度
  • 210ns（最大值） 传播延迟
  • 65ns（最大值） 脉宽失真度
  • 快速输出上升/下降时间
  • 提供较低的动态功耗
  • 250kHZ最大开关速度广泛的V
  • CC工作电压范围，从15V至30V
  • 使用P沟道MOSFET作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
  • 带滞后的欠压闭锁保护(UVLO) - 优化用于驱动IGBT
  • 安全和法规认证
  • 1分钟UL1577，3,750 VACRMS
  • 最小爬电距离为8.0mm
  • IEC60747-5-2，1,414峰值工作绝缘电压（待审批）
  • 最小绝缘厚度为0.5mm
  • 最小爬电距离8.0mm（选项T）

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IFLH (Max) (mA)

IDDL, IDDH (Max) (mA)

IOL, IOH (Min) (A)

tPHL, tPLH (Max) (ns)

PWD (Max) (ns)

VUVLO (Typ) (V)

VUVLO- (Typ) (V)

CMR (Min) (kV/µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

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FOD3184

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PDIP-8

646CQ

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$1.0626

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FOD3184S

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FOD3184SD

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FOD3184SDV

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FOD3184SV

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FOD3184TSR2V

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FOD3184TSV

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FOD3184TV

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FOD3184V

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Die Related Summary Data

Device: FOD3184

Equivalent to wafer fab process: BB,GA

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

BB,GA

0

58865369

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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