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IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD8318
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FOD8318 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能，可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar® 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中，满足 8 毫米漏电和间距要求。
- 自动化
- 消费型设备
- 发电和配电
- 工业级电机
- 运动控制-工业电机
- 不间断电源
- 通过共模抑制特点实现高抗噪能力
- 35 kV / μs 最小共模抑制 (VCM = 1500 VPK)
- 2.5A 峰值输出电流驱动能力，可驱动大部分 1200V/150A IGBT
- 光隔离故障感测反馈
- 具有在高 dv/dt 期间断开 IGBT 的有源米勒钳位功能，无需负电源电压
- “软”IGBT 关断
- 内置 IGBT 保护
- 去饱和检测
- 欠压锁定保护
- 从 15V 到 30V 的宽电源电压范围
- 使用输出级的 P 沟道 MOSFET 可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
- 3.3V/5V 的 CMOS/TTL 兼容输入
- 高速
- 在整个工作温度范围内的最大传播延迟为 500ns
- 安全和监管部门批准
- 扩展工业温度范围介于 -40 至 100°C 之间
- DIN EN/IEC 60747-5-5，1,414 V（峰值）工作绝缘电压，8000 V（峰值）额定瞬态绝缘电压
- – UL1577，4,243 VRMS 持续 1 分钟。
- 用户可配置： 反相、同相、自动复位、自动关断
- 1 Ω（典型值）RDS(ON)提供更低功率损耗
- 8 毫米爬电距离和电气间隙
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