PWM/PFM 控制器,宽输入电压,双输出/DDR

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FAN5236 PWM 控制器提供高能效和两个可调输出电压调节,其调节范围为高性能笔记本电脑、PDA 和 Internet 设备中的电源 I/O、芯片集和内存组所需的 0.9V 至 5.5V。轻型负载下的同步整流和磁滞运行有助于在较宽负载范围内实现高能效。如果对于所有负载级别需要 PWM 模式,则可以在 PWM 转换器上单独禁用磁滞模式。使用 MOSFET 的 RDS(ON) 感应电流,进一步提高了能效。前馈斜坡调制、平均电流模式控制方案以及内部反馈补偿提供了对于负载瞬变的快速响应。180 度移相的失相运行减少了输入电流波纹。该控制器可通过激活指定的引脚转换为完整的 DDR 内存电源解决方案。在 DDR 模式下,其中一个沟道会跟踪另一个沟道的输出电压,并提供输出电流源汲能力 - 主要用于 DDR 芯片的正确供电。还提供此类内存所需的缓冲参考电压。FAN5236 监控这些输出,并在软启动完成且输出在设置点 ±10% 之内时生成单独的 PGx(电源正常)信号。内置的过电压保护防止输出电压超过设置点的 120%。当过电压条件消失后,自动恢复正常运行。输出的软启动序列完成后,当该输出降至设置点的 75% 以下时,欠电压保护会锁存关断该芯片。可调过电流功能通过感应整个较低 MOSFET 上的电压降来监控输出电流。如果需要精确电流感应,则可以使用外部电流感应电阻。

  • TBA

  • 高灵活性、双同步开关PWM控制器包括以下模式:
  • 带同相操作的DDR模式,用于减少通道干扰
  • 90°相位偏移的两阶DDR模式,用于减少输入纹波
  • 双独立调节器,180°相位偏移
  • 完整DDR存储器电源解决方案
  • VTT 跟踪 VDDQ/2
  • VDDQ/2 缓冲参考输出和HSTL
  • 轻载滞后模式将效率最大化
  • 低端MOSFET上的无损电流感测或者使用感测电阻的精确过流
  • VCC 欠压闭锁
  • 转换器可使用+5V或3.3V或电池供电输入(5V至24V)供电
  • 卓越动态响应,使用电压前馈和平均电流模式控制
  • 电源正常信号
  • 支持DDR-II和HSTL

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