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FAN1100_F085 用于直接驱动点火 IGBT,控制线圈的电流和火花事件。线圈电流通过输入引脚进行控制。输入驱动高电平时,FAN1100_F085 的输出将启用,以打开 IGBT 和启动线圈充电。FAN1100_F085 基于 RA 线路上的编程电流将电流 (IIN) 汲取到输入引脚中。输入尖峰滤波器抑制持续时间小于 13 µsec 的输入信号。FAN1100_F085 中包括了最大驻留计时器,如果输入保持活动的时间长于编程设置的时间,则关闭 IGBT。此时间间隔可通过 CSSD 上的外部电容器进行修改。超过最长驻留计时器时,FAN1100_F085 将进入软关断模式 (SSD),通过降低 IGBT 的门极驱动器速度,慢慢降低集极电流,从而对线圈放电,禁止火花等事件。一旦启动软关断操作,输入信号上的任何转换都被忽略,直到软关断功能完成。FAN1100_F085 还将在充电期间将 IGBT 的集极电流限制到 Ic(lim)。这也是通过可产生进入 FAN1100_F085 的 Vsense 引脚的信号输入的点火 IGBT 发射器支脚中的感应电阻完成的。
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FAN1100-F085
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Device: FAN1100-F085
Equivalent to wafer fab process: CMOS SUB
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FITS
CMOS SUB
2
920154574
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Data is based on the following assumptions.
Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.
Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)