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Gate Drivers | FAN8811T
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FAN8811 是一款适用于高电压和高速的高压侧和低压侧门极驱动集成电路，适用于驱动在高达 80 V 的电压下运行的 MOSFET。FAN8811 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管。该驱动器集成电路具有较低的延迟时间和匹配的 PWM 输入传播延迟，进一步增强了该零部件的性能。该高速双门极驱动器适用于在半桥或同步降压配置中驱动 N 沟道 MOSFET 的高压侧和低压侧。浮动高压侧驱动器能够以高达 80 V 的电源电压运行。在双门极驱动器中，高压侧和低压侧均具有独立的输入，实现了应用中输入控制信号的最大灵活性。PWM 输入信号（高电平）可以为 3.3 V、5 V 或最高 VDD 逻辑输入，覆盖所有可能应用。用于高压侧驱动器偏置电源的自举二极管集成在芯片中。高压侧驱动器引用到开关节点 (HS)，通常为高压侧 MOSFET 的源极引脚和低压侧 MOSFET 的漏极引脚。低压侧引用到通常接地的 VSS。包含的功能有输入级、UVLO 保护、移位、自举二极管和输出驱动级。
- Half-Bridge and Full-Bridge Converters
- Synchronous-Buck Converters
- Two-Switch Forward Converters
- Power Supplies for Telecom and Datacom
- Class-D Audio Amplifiers
- 驱动高端和低端的两个 N 沟道 MOSFET
- 集成自举二极管，适用于高端栅极驱动器
- 自举电源电压范围高达 118 V
- 3 A 电源、6 A 灌输出电流功能
- 驱动 1nF 负载，典型升/降时间为 6 ns/4 ns
- TTL 兼容的输入阈值
- 供应电源范围广：8 V - 16 V（绝对最大值 18 V）
- 传播延迟时间快（典型值 30 ns）
- 2 ns 延迟匹配（典型值）
- 驱动电压欠压锁定 (UVLO) 保护
- 工作结温范围：-40°C - 125°C
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FAN8811TMPX
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Pb
A
H
P
WDFN-10
1
260
REEL
3000
Y
MOSFET
2
High-Low
Junction Isolation
100
18
6
4
3
6
30
28
10
$1.3223
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