Gate Drivers | FL73282
概览
单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。
- 照明
- 浮动通道可实现高达 +900 V 的自举运行
- 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为 350 mA/650 mA
- 共模 dv/dt 噪声消除电路
- 容许扩展负 VS摆幅至 -9.8 V，以实现 VCC= VBS= 15 V 时的信号传输
- 10 V 至 20 V 的 VCC 和 VBS 供电范围
- 双通道的欠压锁定功能
- 匹配传播延迟低于 50 ns
- 内置 170 ns 死区时间
- 输出与输入信号同相
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