Gate Drivers | NCP51705

SiC MOSFET下桥驱动器，单个6A高速

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NCP51705驱动器主要设计用于驱动碳化硅MOSFET晶体管，可为碳化硅MOSFET器件提供允许的最大栅极电压，以尽可能降低导通损耗。在开通和关断期间提供高峰值电流也能最大化降低开关损耗。NCP51705利用其板载电荷泵生成用户可选择的负电压轨，从而提升可靠性、抗dV/dt 能力和更快的关断速度。针对隔离应用，NCP51705提供了一个外部可访问的5V电源轨，可为数字/高速光电隔离器的次级侧供电。

  • 高性能逆变器
  • 高功率电机驱动器
  • 图腾柱PFC
  • 工业和电机驱动
  • UPS和光伏逆变器
  • 高功率DC充电器
  • 高峰值输出电流与分流输出级
  • 扩展正电压额定值，最高可达28V
  • 用户可调的内置负电荷泵（-3.3V至-8V）
  • 外部可访问的5V基准/偏置电压轨
  • 可调欠压锁定
  • 快速去饱和功能
  • QFN24 4 x 4 mm 封装

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Topology

Isolation Type

Vin Max (V)

VCC Max (V)

Rise Time (ns)

Fall Time (ns)

Drive Source Current Typ (A)

Drive Sink Current Typ (A)

Turn On Prop. Delay Typ (ns)

Turn Off Prop. Delay Typ (ns)

Delay Matching

参考价格

NCP51705MNTXG

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CAD Model

Pb

A

H

P

WQFN-24

510BE

1

260

REEL

3000

Yes

SiC MOSFET

1

Single

Non-Isolated

N/A

28

8

8

6

6

25

25

-

$1.9703

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Device: NCP51705MNTXG

Equivalent to wafer fab process: BD

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

BD

0

1913490807

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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