门极驱动器

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高性能氮化镓(GaN)、IGBT、MOSFET、电隔离、光隔离和SiC MOSFET驱动器,是高功率应用的理想选择。这些驱动器是为实现高系统能效、高可靠性、短传播延迟等而设计的。这些门极驱动器的理想性能特征使其能够满足汽车、工业、云电源和计算应用的要求。

产品系列

IGBT 驱动器

为在高功率应用中实现高系统能效和可靠性而设计的驱动器。

MOSFET驱动器

设计用于驱动低边开关应用的驱动器,在短的开关间隔期间提供高峰值电流脉冲。

电隔离式驱动器

高性能驱动器用于高功率汽车应用,包括PTC加热器、主驱逆变器、高压DC-DC和其他辅助子系统。

SiC MOSFET驱动器

高性能驱动器设计用于隔离应用。

GaN驱动器

高速驱动器专为满足在离线和半桥电源拓扑结构中驱动增强型和门极注入晶体管(GIT) 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 功率开关的严格要求而设计。

光耦隔离型驱动器

驱动器适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关。

评估板

EV/DEV Kit Icon

SECO-GDBB-GEVB

门极驱动器即插即用生态系统
EV/DEV Kit Icon

NCP51705SMDGEVB

NCP51705 Mini SMD评估板
EV/DEV Kit Icon

SEC-NCV51530HB-GEVB

NCP51530半桥评估板

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