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Integrated Driver & MOSFET | FDMF3030
概览
该 DrMOS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案，用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF3030 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式，该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。FDMF3030 使用安森美半导体的高性能 PowerTrench® MOSFET 技术，大幅降低了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会指出潜在的超温情况。FDMF3030 还结合了零交叉检测（ZCD_EN# 引脚），提高了轻型负载能效，提供了 3 态 5V PWM 输入，用于兼容多种 PWM 控制器。
- 超过93%的峰值效率
- 高电流处理能力： 50A
- 高性能PQFN铜片封装
- 三态5V PWM输入驱动器
- 通过ZCD_EN#输入使能的二极管自动仿真（跳频模式）
- 为过温情况提供热警告标志
- 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
- ZCD_EN#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
- 飞兆PowerTrench®技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
- 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™技术（集成肖特基二极管）
- 集成自举肖特基二极管
- 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
- 欠压闭锁(UVLO)
- 为实现开关频率达到1MHz而优化
- 薄型SMD封装
- 基于Intel® 4.0 DrMOS标准
- 飞兆绿色封装并符合RoHS标准
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