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Integrated Driver & MOSFET | FDMF5820DC
概览
该 SPS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案，用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF5820DC 在一个热管理增强的、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装内集成了一个带自举肖特基二极管的驱动集成电路、两个功率 MOSFET，以及一个温度监控器 。该 SPS 开关功率级使用集成方式，针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 SPS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench® MOSFET 技术，降低了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度监控器功能会针对潜在的超温情况发出警告。如果发生超温情况，可编程的高温关断功能将关断该驱动器。FDMF5820DC 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#)，可提高轻负载下的能效。FDMF5820DC 还提供了一个 3 态 3.3 V PWM 输入，实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。
- 具有 Flip Chip 低端 MOSFET 和 Dual Cool™ 架构的超小型 5 mm x 5 mm PQFN Copper-Clip 封装
- 高电流处理能力：60 A
- 三态 3.3 V PWM 输入栅极驱动器
- 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET开关
- 自动 DCM（低端栅极关断）使用 ZCD# 输入
- 具有模块温度报告功能的执监控器
- 可编程的热关断 (P_THDN)
- 高侧短路故障#检测/关断
- 双通道模式使能/故障#引脚
- ZCD# 输入和 EN 输入各自的内部上拉和下拉
- 飞兆 PowerTrench® MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
- 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET™ 技术（集成肖特基二极管）
- 集成式自举肖特基二极管
- 优化的/很短的死区时间
- 为实现开关频率达到 1.5MHz 而优化
- VCC 欠压闭锁 (UVLO)
- 低关断电流：<3 µA
- PWM 最低可控导通时间：30 ns
- 工作环境温度范围：-40°C 至 +125°C
- 优化的 FET 对以实现最高效率：10 ~ 15% 占空比
- 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
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