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Integrated Driver & MOSFET | FDMF5821DC
概览
该 SPS 系列是安森美半导体的下一代全面优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案，用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF5821DC 采用耐热增强、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装，集成了一个驱动器集成电路以及一个自举二极管、两个功率 MOSFET 和一个温度监控器。该 SPS 开关功率级采用集成方式，针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行优化。SPS 系列采用安森美半导体的高性能 PowerTrench® MOSFET 技术，减少了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动器集成电路进一步增强了性能。温度监控器功能会针对潜在的超温情况发出警告。如果发生超温情况，可编程设定的高温关断功能将关断该驱动器。FDMF5821DC 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#)，可提高轻负载下的能效。FDMF5821DC 还提供 3 态 5 V PWM 输入，从而与多种 PWM 控制器兼容。
- 具有 Flip Chip 低侧 MOSFET 和 Dual Cool™ 架构的超小型 5 mm x 5 mm PQFN Copper-Clip 封装
- 高电流处理能力： 60 A
- 三态 5 V PWM 输入驱动器
- 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET开关
- 自动 DCM（低侧栅极关断）使用 ZCD# 输入
- 具有模块温度报告功能的执监控器
- 可编程的热关断 (P_THDN)
- 高侧短路故障#检测/关断
- 双通道模式使能/故障#引脚
- ZCD# 输入和 EN 输入各自的内部上拉和下拉
- 飞兆 PowerTrench® MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
- 低侧 MOSFET 中的飞兆 SyncFET™ 技术（集成肖特基二极管）
- 集成式自举肖特基二极管
- 优化的/很短的死区时间
- 为实现开关频率达到 1.5MHz 而优化
- VCC 欠压锁定 (UVLO)
- 低关断电流： < 3 µA
- PWM 最低可控导通时间： 30 ns
- 工作环境温度范围： -40°C 至 +125°C
- 优化的 FET 对以实现最高效率： 10 ~ 15% 占空比
- 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
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