Integrated Driver & MOSFET | FDMF6821A

超小型，高性能，高频率 DrMOS 模块

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该 XS™ DrMOS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案，用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF6821A 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6 mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式，该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS™ DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench® MOSFET 技术，大幅降低了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6821A 结合了跳过模式 (SMOD#)，可提高轻负载下的能效。FDMF6821A 也提供 3 态 3.3 V PWM 输入，从而与多种 PWM 控制器兼容。

  • Core Power for Servers, Desktop Computers, Notebooks, Game Consoles, Networking, Storage, Telecom
  • High-Current dc-dc Converters
  • Multi-phase dc-dc Converters
  • 高于 93% 的峰值效率
  • 高电流处理能力： 60 A
  • 高性能 PQFN 铜片封装
  • 三态 3.3V PWM 输入驱动器
  • 跳频模式 SMOD#（低侧门关断）输入
  • 为过温情况提供热警告标志
  • 驱动器输出禁用功能（DISB# 引脚）
  • SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
  • 飞兆 PowerTrench® 技术 MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
  • 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
  • 集成式自举肖特基二极管
  • 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
  • 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
  • 薄型 SMD 封装。
  • 基于 Intel® 4.0 DrMOS 标准

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