正向过电压保护电路,带内部低导通电阻 NMOS FET 和状态标志

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NCP347 能够在检测到错误输入运行情况时将系统从其输出引脚断开。 该系统受高达 +28 V 的正向过电压保护。由于此器件使用内部 NMOS,无需外部器件,降低了系统成本和应用主板中的 PCB 面积。由于集成的低导通电阻功率 NMOS (65 mΩ,如果输入电压超过过电压阈值(5.63 、5.9 或 7.2 V),或 2.95 V (UVLO) 欠电压阈值),NCP347 能够瞬时将输出与输入断开。通电时(EN(BAR) 引脚 = 低电平),Vout 会在 Vin 超过欠电压阈值之后导通 50 ms。NCP347 提供负向转换标志 (FLAG(BAR)) 输出,会在发生故障时警告系统。另外,当使用 1.0 µF 或更大电容器进行旁路联接时,该器件还具有 ESD 保护输入 (15 kV Air)。

  • Cell Phones, Camera Phones, Digital Still Cameras, Personal Digital Applicaitons, and MP3 Players
  • Overvoltage Protection up to 28 V
  • On-Chip Low RDS(on) NMOS Transistor: 80 m
  • Overvoltage Lockout (OVLO)
  • Undervoltage Lockout (UVLO)
  • Internal 50 ms Startup Delay
  • Alert FLAG(BAR) Output
  • Shutdown EN(BAR) Input
  • Compliance to IEC61000-4-2 (Level 4), 8.0 kV (Contact), and 15 kV (Air)
  • ESD Ratings: Machine Model = B, Human Body Model = 3
  • This is a Pb-Free Device

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VIT+ Typ (V)

VIT Typ (V)

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TA Min (°C)

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NCP347MTAETBG

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-10

1

260

REEL

3000

Y

1.2

28

0.44

5.63

2.95

250

-40

85

$0.4

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NCP347MTAFTBG

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