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EEPROM Memory | CAT1025
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CAT1025 是一款用于基于微控制器的系统的完整内存和监督方案。EEPROM 串行 2-Kb CPU 监督器和系统电源监督器带有欠电压保护，采用低功耗 CMOS 工艺进行集成。内存接口通过 400 kHz I²C 总线实现。CAT1025 提供精确的 VCC 感应电路和两个开漏输出：一个 (RESET) 驱动高电平，一个 (RESET) 在 VCC 降至重置阈值电压之下时驱动低电平。CAT1025 还具有写保护输入 (WP)。如果 WP 联接逻辑高电平，写保护则禁用。电源监控电路保护内存和系统控制器，并在电源通电/关断期间以及针对欠电压情况对其进行重置。五个重置阈值电压支持 5.0 V、3.3 V 和 3.0 V 系统。如果电源电压超出容差范围，重置信号则变为有效状态，阻止系统微控制器、ASIC 或外围设备运行。重置信号通常在电源电压超过重置阈值水平 200 ms 之后变为无效状态。通过有效高电平和低电平重置信号连接微控制器和其他集成电路非常简单。另外，RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动重置能力的输入。CAT1025 内存具有 16 字节页。另外，硬件数据保护由 VCC 感应电路提供，在 VCC 降至重置阈值以下或 VCC 在通电期间尚未达到重置阈值之前阻止写入内存。可采用 8 引脚 DIP、8 引脚 SOIC、8 引脚 TSSOP、8 引脚 TDFN 和 8 引脚 MSOP。TDFN 封装厚度最大为 0.8 mm。TDFN 占位为 3 x 3 mm。
- Industrial control
- Medical systems
- Printers
- Mass storage
- Precision power supply voltage supervisor
5.0 V, 3.3 V and 3.0 V systems
Five threshold voltage options - Active high or low reset
— Valid reset guaranteed at VCC = 1V - 400 kHz I²C bus
- 3.0 V to 5.5 V operation
- Low power CMOS technology
- 16-Byte page write buffer
- Built-in inadvertent write protection
— WP pin - 1,000,000 Program/Erase cycles
- Manual reset input
- 100 year data retention
- 8-pin DIP, SOIC, TSSOP, MSOP &
TDFN (3x3mm foot print) packages - Industrial and extended temperature ranges
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