串行 SRAM 存储器,超低功率,1 Mb,1.7 - 2.2 V

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安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 −40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。

  • Patient Monitor
  • Smart Meter
  • Cardiac Monitoring Device
  • Event Recorder
  • Alarm System
  • MP3 Interface for Automobiles
  • Medical Monitoring Device
  • Game Controller
  • IP Camera Buffer
  • Battery Charger
  • Laser Receiver System
  • GPS Offender Tracking
  • Programmable Logic Controller
  • IP Radio
  • Power Supply Range: 1.7 to 2.2 V
  • Very Low Typical Standby Current: <1 µA
  • Very Low Operating Current < 10 mA
  • Simple Serial Interface:
    - Single-bit SPI Access
    - DUAL-bit and QUAD-bit SPI-like Access
  • Flexible Operating Modes- Word Mode - Page Mode- Burst Mode (Full Array)
  • High Frequency Read and Write Operation
    - Clock Frequency 20 MHz
  • Built-in Write Protection (CS High)
  • High Reliability - Unlimited Write Cycles
  • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant- Green TSSOP

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N01S818HAT22I

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Pb

A

H

P

TSSOP-8

3

260

TUBE

100

Y

Serial

1 Mb

128k x 8

20

1.7

2.2

1

$2.9337

More Details

N01S818HAT22IT

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Pb

A

H

P

TSSOP-8

3

260

REEL

3000

Y

Serial

1 Mb

128k x 8

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2.2

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