高度优化技术助力下一代直流快充

我们的技术专为高功率高密度直流快充而生。

基于碳化硅模块的25kW直流快充系统

安森美助您开发双向直流快充/EVSE。

方案

得益于领先的碳化硅(SiC)技术以及我们在封装工艺上持续不断的创新探索,电动车(EV)充电装置的设计流程得到了简化。安森美拥有完整的全套产品组合,包括分立功率器件和模拟方案、保护装置、感测、联接联通等,高质量的元器件,满足您个性化的系统需求。我们的系统专业知识历经二十年的验证积累,能够实现技术间的结合与贯通,为您提供全面系统的解决方案。

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基于碳化硅模块的直流快充系统

基于碳化硅模块的25kW直流快充系统

我们的系统专家将会为您提供指引,讲解关键挑战、权衡和妥协,以及如何按照我们的基于碳化硅模块的25kW直流快充系统参考设计来从零开始设计、建造和验证充电系统您的充电系统。

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碳化硅模块

全碳化硅和混合碳化硅模块

我们优化的封装工艺为您带来

  • 卓越的性能
  • 比分立器件更低的热阻
  • 易于安装的封装以适应行业标准的引脚

安森美碳化硅二极管系列

系列名称

电压

优化

最佳应用

D1

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650V, 1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻以及最高浪涌电流额定值

  • Vienna整流器输入级

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D2

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650V

低Vf的高速开关

  • PFC级
  • 输出整流

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D3

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1200V

低Vf的高速开关

  • PFC级
  • 输出整流

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安森美碳化硅MOSFET系列

系列名称

电压

优化

最佳应用

M1

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1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻


开关损耗和传导损耗的平衡

  • DC-DC固态继电器
  • 主驱&电机驱动器
  • 硬开关应用

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M2

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650V, 750V, 1200V

低速应用的最低RDS(ON)

  • DC-DC固态继电器
  • 主驱&电机驱动器

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M3

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1200V

配备15V-18V栅极驱动器的快速开关应用

  • 硬开关应用
  • LLC谐振应用

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评估/开发套件

SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK

基于全SiC模块的25kW电动车直流充电平台

SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB

15W 碳化硅高压辅助电源,适用于混动车和纯电动车应用

SECO-GDBB-GEVB

栅极驱动器(plug-and-play)生态系统

SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB

40W 碳化硅高压辅助电源,适用于混动车和纯电动车应用

SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

6-18V直流输入隔离式IGBT栅极驱动器电源+15V/-7.5V/7.5V及车规级NCV3064控制器

SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB

6-18V直流输入隔离式碳化硅栅极驱动器电源+20V/-5V/5V 及车规级NCV3064控制器评估板

技术文档

适用于功率电子器件的基于物理的可扩展SPICE建模方式

本文档介绍了安森美的基于物理的可扩展SPICE模型如何提升您的仿真结果水平,从而缩短上市时间。

使用物理和可扩展的仿真模型来评估参数和应用结果

物理、可扩展的建模技术是一种基于工艺和布局参数的先进SPICE建模方法,通过SPICE、物理设计和工艺技术之间的直接联系实现设计优化。

电动车直流快充:常见拓扑和系统使用的功率器件

本文将概述用于电动车直流快充AC−DC和DC−DC的典型电源转换器拓扑结构和功率器件。

电动汽车直流快充全景概览

电动出行和汽车电气化已成为近来的热门趋势。然而,早在十九世纪末就已经出现了第一辆电动汽车(EV)。

IGBT的质量和可靠性

在当今的半导体市场上,产品质量和可靠性是决定一个公司成功与否的两个重要因素。

设计关键点:在数字隔离器或光耦合器之间做出选择

随着能源需求的扩增,电流和电压值也随之上升。更高的电压在许多应用甚至一些独立应用中都更为常见。

PIM模块(Q0, Q1, Q2, F1, F2)的安装说明

本应用说明介绍了使用Q0、Q1、Q2、F1、F2封装的安森美功率集成模块(PIM)的安装说明。

高效率DC-DC转换器模块

NCP12700是用于单端开关模式电源(SMPS)的固定频率、峰值电流模式的PWM控制器。

阅读安森美IGBT数据手册

绝缘栅双极型晶体管是一种功率开关,非常适合于高功率应用,如电机控制、UPS和太阳能逆变器、感应加热。

标准栅极驱动器光耦合器

FOD31xx系列栅极驱动器的功能是作为一个电源缓冲器,控制功率MOSFET或IGBT的栅极。

MOSFET基础知识

FOD31xx系列栅极驱动器的功能是作为一个电源缓冲器,控制功率MOSFET或IGBT的栅极。

电隔离式栅极驱动器设计提示

本应用说明介绍了安森美的电隔离式栅极驱动器在系统应用中的一些参数、功能和设计提示。

安森美M1 1200V碳化硅MOSFET模块:特点和驱动建议

本文档介绍了安森美M1 1200V碳化硅MOSFET的关键特性以及驱动条件带来的影响。作为安森美的宽禁带全生态系统的一部分,本文为在碳化硅MOSFET上使用隔离式栅极驱动器提供了指南。

碳化硅MOSFET:栅极驱动优化

本文档重点介绍了与碳化硅MOSFET相关的独特器件特性,并就碳化硅开关性能最大化和系统级考量,讨论了优化栅极驱动的关键设计要求。

功率器件封装散热器安装指南

本文档提供了关于安装散热器进行热管理的指南,介绍了散热器的安装方法、注意事项、以及各种封装的接触热阻和安装扭矩。

关于使用隔离式栅极驱动器以高效驱动碳化硅MOSFET的指南

碳化硅MOSFET已开始逐渐取代IGBT在功率应用中的地位。碳化硅等技术要求隔离式栅极驱动器通过对IGBT和MOSFET提供可靠的控制,实现最快的开关速度,以及解决系统尺寸限制问题。本应用说明重点介绍栅极驱动电压的优化设计,从而将开关损耗降到最低,充分发挥器件的优势。

650V超级结MOSFET用于高效可靠的电动车充电应用

本文介绍了SUPERFET III FRFET业界最优的体二极管性能和低动态COSS损耗。由于SUPERFET III FRFET的A·RDS(ON)非常低,它被高度优化用于高功率电动车快充应用。

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