我们的技术专为高功率高密度直流快充而生。
安森美助您开发双向直流快充/EVSE。
得益于领先的碳化硅（SiC）技术以及我们在封装工艺上持续不断的创新探索，电动车（EV）充电装置的设计流程得到了简化。安森美拥有完整的全套产品组合，包括分立功率器件和模拟方案、保护装置、感测、联接联通等，高质量的元器件，满足您个性化的系统需求。我们的系统专业知识历经二十年的验证积累，能够实现技术间的结合与贯通，为您提供全面系统的解决方案。
| 应用座 | 按产品类型 | 产品 | |
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基于EliteSiC电源模块的25kW参考设计包括PFC级和DC-DC级，采用多个1200V、10mΩ半桥SiC模块。超低的RDS(ON)和最小化的寄生电感可以显著降低传导损耗和开关损耗。
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安森美最新推出Elite Power仿真工具，能够准确呈现出采用EliteSiC系列产品包括EliteSiC边界情形的电路运行情况。
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碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
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不同SPICE建模的效果不尽相同，我们的SPICE模型能够将您的仿真结果提升到一个新的水平，缩短产品上市时间。
我们的系统专家将会为您提供指引，讲解关键挑战、权衡和妥协，以及如何按照我们的基于碳化硅模块的25kW直流快充系统参考设计来从零开始设计、建造和验证充电系统您的充电系统。.
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本文介绍了DCFC设计的关键设计考量因素和架构，以期获得高效、可靠、安全的系统表现。
深度了解安森美25kW电车直流快充参考设计，掌握硬件及固件方面的设计要点和窍门。
这篇应用说明介绍了栅极-发射极电压对IGBT 器件性能的一些影响。
与大多数功率半导体相比，IGBT通常需要一套更复杂的计算来确定芯片温度。
本文介绍IGBT的基本知识，如结构、栅极驱动基本原理和注意事项、过压和短路保护等。
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