安森美（onsemi）具备从分立器件到模块方案的多样化产品阵容，为您 提供各类功率开关，包括IGBT、EliteSiC MOSFET、肖特基二极管。我们的产品能帮助您以合理的成本获得需要的性能和效率。
与储能系统搭配使用的太阳能系统的比例预计到2025年将增加到29%。下载这份白皮书，了解安森美全面的大功率硅和碳化硅器件组合，适用于各类住宅、商业和公用事业的太阳能系统。
白皮书安森美最新推出Elite Power仿真工具，能够准确呈现出采用EliteSiC系列产品包括EliteSiC边界情形的电路运行情况。
开始仿真碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
播放视频650V IGBT采用了窄台、宽沟槽的场截止FS4技术，具有闩锁抗扰度和更小的栅极电容。650V EliteSiC MOSFET在VGS和温度方面具有更低的RDS(ON)。
IGBTs EliteSiC MOSFETsIGBT模块组合针对太阳能逆变器的DC-AC级进行了优化。这些最先进的产品利用新的窄台面IGBT技术，提供高电流密度和强大的短路保护功能，以及更高的阻断电压，提供出色的性能表现。
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15W高压辅助电源，适用于混动车和纯电动车应用
40W高压辅助电源，适用于混动车和纯电动车应用
栅极驱动器plug-and-play生态系统
6-18V直流输入隔离式碳化硅栅极驱动器电源+20V/-5V/5V及车规级NCV3064控制器
6-18V直流输入隔离式IGBT栅极驱动器电源+15V/-7.5V/7.5V及车规级NCV3064控制器
这份应用说明比较了在1100V太阳能逆变器升压级中两种功率集成模块（PIM）的性能表现。
这份白皮书将会向读者介绍安森美从最初设计到批量生产始终坚持采用的质量和可靠性的方法。
这篇应用说明旨在解释这两款线上工具的技术优势...
NCD(V)5700x是一款高电流单通道栅极驱动器，带有内部电磁隔离，用于高系统效率应用。
对于高压开关功率应用，碳化硅或碳化硅MOSFET具备显著的优势。
《加州2022年建筑能效标准》是美国第一部规定新建住宅必须使用太阳能的建筑法规。
这篇文章将着重讨论仅由仿真获得的结果以及如何使用这些结果...
高效的功率电子设计成功与否取决于准确和可预测的SPICE模型。
半导体的额定电流和功率与它们的热环境有着不可分割的联系。
电源应用中采用的大多数MOSFET往往是表面贴装器件（SMD）...
这篇文章的目的是展示设计高性能自举栅极驱动的系统性方法。
用于高频开关MOSFET和IGBT的栅极驱动器会耗散大量功率...
在众多谐振转换器中，LLC谐振转换器是最普遍的拓扑...
FAN967x是一款多通道交错并联连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）...
NCP1562 PWM控制器包含实施有源正向钳位的所有特性和灵活度。
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