功率模块

先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块 (IPM)。

按技术分类

IGBT模块
IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。
MOSFET模块
MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用,额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V,采用超级结技术和感应电阻。除了6-pack、全桥和半桥拓扑结构外,还提供图腾柱PFC拓扑结构。
Si/SiC混合模块

Si/SiC混合模块包含IGBT、硅二极管和SiC二极管,适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源的DC-AC级。

硅/碳化硅(Si/SiC)混合模块是具有高功率密度的IGBT集成功率模块。它们的开关损耗比非混合模块更低,工作温度也高于其他类型的半导体。

硅/碳化硅混合模块可用于要求低损耗的大功率应用。与同类硅模块相比,它们更适用于更高的温度环境。对于需要高频开关的系统,硅/碳化硅混合模块的效率更高。

智能电源模块(IPM)
高压电源模块,配备集成栅极驱动器,用于消费、工业和汽车应用。提供大范围的三相逆变器模块,涵盖50W至10KW的功率水平。提供不同拓扑结构选择,包括PFC和输入桥整流器。
碳化硅(SiC)模块

碳化硅模块包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块应用于DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,额定电压1200V。

碳化硅(SiC)模块采用碳化硅半导体作为开关的功率模块。碳化硅功率模块的目的是通过开关转换电力,从而提高系统效率。SiC功率模块之所以能提高能效,是因为它能使系统以更高的频率运行。

碳化硅模块的主要功能是转换电力。碳化硅比硅更有优势,因为碳化硅器件(由于效率更高)离开源极的阻力更小,因此可以在更高的开关频率下工作。与硅解决方案相比,基于碳化硅的系统也更紧凑、更轻便,从而可以实现更小巧的设计。因此,碳化硅器件是提高效率和优化热管理的理想解决方案。