全新T2PAK封装为EliteSiC带来高效散热和强劲动力
采用全新T2PAK顶部散热封装的EliteSiC MOSFET，为电动汽车、光伏逆变器等应用带来更高的功率密度和精简的散热封装。
什么是垂直氮化镓？
探索垂直氮化镓技术（vGaN），了解安森美的专有工艺如何提供更高的电压、更快的开关速度，为AI和电气化应用，带来创纪录的效率、功率密度和耐用性。
碳化硅CJFET提升数据中心PSU效率
安森美EliteSiC碳化硅系列Cascode JFET（共源共栅JFET）能够帮助现代工业应用和数据中心电源实现更高功率密度、更快开关频率和领先的效率。
严正声明
关于不法分子冒用我司名义实施非法商业活动的严正声明
