碳化硅（SiC）
值得信赖的伙伴
一个可靠的碳化硅供应伙伴，能帮助您顺利完成产品开发和增长目标。这个伙伴需要具备前沿领先的技术路线路和业已成熟的性能产品，凭借足够的实力维持碳化硅的供应、质量、成本、效率和供应链。
选择安森美
作为碳化硅长期供应伙伴，安森美是您的优质之选。可靠的端到端供应链、深厚的应用经验、全面的EliteSiC产品阵容、适合各类市场应用的解决方案，为您的设计注入信心，帮助您降低风险，顺利达成目标。
可靠供应
从衬底、到组装，再到封装，我们提供垂直一体化的碳化硅生产解决方案，保障碳化硅的可靠供应。
领先经验
我们在EV（车载和非车载）和工业领域具备深厚的应用经验，辅以系统级仿真工具的加持，相信我们创新的解决方案都为您提供胜人一筹的优势。
专业方案
我们的裸芯和封装技术、独特全面的EliteSiC产品阵容，支持为不同应用市场量身订造全套解决方案（裸芯、器件、封装），时刻准备着，响应您的需求。
裸芯性能
EliteSiC碳化硅系列旗舰基于先进的碳化硅裸芯技术，优化用于低损耗、高效率、坚实可靠的高压作业。这一基础支持牵引逆变器、电源和能源系统等实现卓越的电气性能。
创新封装
碳化硅的真实性能在系统级得到展现。安森美共同开发的芯片和封装技术能够降低热阻、控制寄生参数，并支持更高的开关速度，从而实现更高的功率密度、更高的效率，在苛刻应用中也能实现可靠运行。
我们在裸芯和封装双管齐下的发展成果，使得我们能够为客户带来系统专用的碳化硅解决方案。
我们服务的领域
碳化硅（SiC）
汽车
安森美深耕碳化硅技术研发数十年，终于打造出颠覆性的宽禁带产品系列。用于主驱逆变器的EliteSiC碳化硅功率模块带来裸芯方案、凝胶填充模块、压铸模模块等各种选择的集成式全碳化硅MOSFET。
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碳化硅（SiC）
能源基础设施
我们运用数十年的创新技术经验、世界一流的生产技术，为您提供可靠、高效、优质的EliteSiC碳化硅系列产品，助您缩短开发时间，同时实现超乎预期的功率密度和超低功率损耗。
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碳化硅（SiC）
用于栅极驱动器的EliteSiC产品
我们专研的栅极驱动器，让您的碳化硅MOSFET实现性能最大化。作为我们EliteSiC碳化硅MOSFET系列成员，这些栅极驱动器能够为您的高功率应用实现能效和可靠性的双重优化。
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常见问题解答（FAQ）
关于安森美碳化硅技术的常见问题及回答。
碳化硅（SiC）
碳化硅（SiC）是一种半导体材料，相较于传统硅材料，能够在更高的电压、温度和功率水平下高效控制和转换电能，从而使系统更小、更轻且更节能。
工程见解：碳化硅是一种宽禁带半导体，其临界电场远高于硅，使器件能够在更高电压下工作，同时具有更低的损耗和更高的开关速度。
碳化硅具有更高的电场强度，可以处理更高功率并减少能量损失。这使得电力电子系统运行时散热效率更高，使用的组件更少，并在更小的空间内提供更高的性能。
工程见解：在相同电压等级下，碳化硅器件比硅器件更薄，从而在系统层面减少导通电阻、开关损耗和冷却需求。
“宽禁带”是指像碳化硅（SiC）这样的材料中，价带和导带之间的能隙较大，使得碳化硅能够在更高的电压和温度下安全工作而不发生击穿，并且在严苛要求的功率应用中表现优于硅。
工程见解：相比硅，较宽的禁带和较高的击穿场允许更高的结温、更快的开关速度以及更高的电压操作。
每当系统释放热量时，都是能源的损失。碳化硅将热量形式的能量损耗降到更低，使得更多的电力用于实际工作而免于损耗，这提高了整体系统效率并降低了散热需求。
工程见解：更低的开关损耗、极小的反向恢复行为以及更低的导通损耗，有助于在交流-直流、直流-直流和逆变器拓扑结构中实现更高的效率。
安森美EliteSiC系列
安森美EliteSiC的突出特点包括：
- 全垂直整合：衬底 → 外延 → 器件 → 封装 → 模块
- 适用于关键任务系统的车规级、高可靠性工艺
- 在MOSFET和二极管产品组合中取得行业领先的导通电阻 (Rds(on)) 和开关性能
- 在EV动力系统、快速充电器和能源系统中经受验证的现场可靠性
- 先进封装技术，包括顶层散热、低电感布局和高功率模块选项
- 广泛的产品组合涵盖MOSFET、二极管、JFET、Cascode JFET、模块和集成电源解决方案
这一系列优势组合，使客户能够实现稳定的性能、可预测的供应以及更快的产品开发周期。
通过控制每一个制造阶段，从碳化硅单晶生长、晶片加工、外延生长到器件制造、测试和封装，安森美向您保证：
- 严格管理材料质量
- 优化电气性能表现
- 可预测的长期供货能力
- 车规级产品的更高可靠性
- 新器件的快速迭代和开发
垂直整合是我们最主要的一个差异化优势，区别于依赖外部衬底供应商的其他竞争伙伴。
安森美提供业内最齐全的碳化硅产品组合之一，包括：
- 碳化硅MOSFET（650V、750V、1200V、1700V）
- 碳化硅肖特基二极管
- 碳化硅JFET、Combo JFET和Cascode JFET（CJFET）
- 用于牵引逆变器、车载充电器、储能和工业驱动的EliteSiC功率模块
- 集成解决方案，如针对碳化硅器件优化的栅极驱动器
终端市场中的碳化硅
在电动汽车牵引逆变器和车载充电器中，EliteSiC实现了：
- 更高的逆变器效率和更低的开关损耗
- 减少热量产生和更紧凑的散热系统
- 增加续航里程
- 更快的直流快速充电
- 更小尺寸的逆变器和充电器
汽车OEM厂商采用EliteSiC，将在系统级层面显著提升性能收益，直接影响电池成本、续航里程和驾驶动态。
AI数据中心承担巨大的计算负载，需要极高的功率密度和效率。EliteSiC可以支持其电源系统：
- 降低AC-DC和DC-DC之间的转换损耗
- 支持高频开关以减小磁性元件尺寸
- 在GPU集群和液冷机架所需的高功率水平下保持效率
- 降低能耗和运营成本
碳化硅对于下一代AI服务器电源、加速器和高功率不间断电源系统（UPS）至关重要。
EliteSiC碳化硅如何支持工业自动化系统？
工业机器人、电机驱动和自动化设备通过采用碳化硅来实现：
- 更高的开关频率以实现更平滑的电机控制
- 减少伺服驱动的功率损耗
- 更高的扭矩响应和更好的运动精度
- 更紧凑的电源级
碳化硅还能够在恶劣的工厂环境中保证更高的可靠性。
EliteSiC碳化硅通过实现以下功能提升太阳能、风能和储能系统的性能：
- 更高的逆变器效率
- 更低的热损耗和更简单的散热
- 适用于公用事业级和分布式能源系统的更小、更轻的系统
- 提高电池储能系统（BESS）的功率密度
- 在长运行寿命期间实现更高的可靠性
碳化硅在现代化电网和可再生能源部署中发挥着核心作用。
技术与可靠性
适用。EliteSiC器件符合严格的可靠性标准，包括AEC‑Q101/Q102汽车认证要求以及汽车功率模块的AQG324标准。典型的碳化硅器件认证测试包括动态测试，如动态反偏 (DRB) 和动态栅极应力 (DGS)、雪崩耐受性以及长期可靠性评估等。
碳化硅的宽禁带特性使其能够在比硅更高的结温下工作。这减少了冷却需求，并在不牺牲可靠性的前提下实现更紧凑的电力系统设计。
安森美提供：
- 分立式封装：TO‑247、D2PAK、顶部散热封装（TCPAK）、开尔文源引脚
- 电源模块：汽车牵引、车载充电器、BESS、UPS、工业驱动模块
- 优化用于高速碳化硅开关的低电感设计
先进的热管理能确保更低的结‑壳电阻和卓越的散热性能。
安森美提供的资源包括：
- PLECS和SPICE模型
- 电动汽车、能源、工业和数据中心系统的参考设计
- 应用说明、热数据及最佳实践布局
- 评估板与开发套件
- 搭配栅极驱动器和模块评估系统的协同设计支持
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