碳化硅 (SiC)

安森美的EliteSiC系列碳化硅产品,以及端到端的碳化硅生产能力,为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。

产品分类

碳化硅 (SiC)二极管

我们的碳化硅二极管产品采用全新技术,提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。

硅二极管是众多机械设备广泛使用的一种元件,但对于追求更高效率的应用需求,现在有了一种新的选择。碳化硅二极管是一种开关性能更高的二极管。它们具有更高的功率密度和更高的整体效率。能量损耗的减少也有助于降低系统成本。

与硅二极管相比,碳化硅二极管效率更高,抗高温性能更优,能够在更高频率和更高电压的条件下工作。由于碳化硅二极管的恢复时间比硅二极管更快,因此非常适合需要从阻断快速过渡到导通状态的电流。SiC二极管的发热情况也不像硅二极管那样高,因此可用于温度更高的应用中,且效率更高。

碳化硅 (SiC) MOSFET

我们的SiC MOSFET产品高速且坚固,并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。

MOSFET是指具有绝缘栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)。这些场效应晶体管通常由可控氧化硅制成,而SiC MOSFET是由碳化硅而不是硅制成的。

与硅MOSFET相比,选择SiC MOSFET有许多优势,例如开关频率更高。在使用 SiC MOSFET 模块时,也无需担心高温开发的问题,因为这些器件即使在高温条件下也能高效工作。此外,使用SiC MOSFET时,由于所有元件(电感器、滤波器等)的尺寸都更小,因此整体产品尺寸也更紧凑。

碳化硅(SiC)MOSFET 裸芯片
安森美碳化硅(SiC)裸芯片专门优化用于高功率应用,如EV主驱逆变器、DC-DC转换器、非车载充电器等。
碳化硅(SiC)JFET
安森美碳化硅(SiC)JFET是一种高性能、常开启型(normally-on)JFET晶体管,VDS-max范围为650V到1700V。提供高开关频率和低至4毫欧的超低导通电阻RDS (on),所需芯片面积不到其他技术的一半。此外,低栅极电荷(Qg)得以进一步减少导通损耗和开关损耗。SiC JFET专为优化用于电源单元(PSU)和下游高压DC-DC转换,以应对未来AI数据中心机架的巨大功率需求。在电动汽车电池断开单元的应用中,通过使用基于SiC JFET的固态开关来替代多个组件,可提高运行效率和安全性。此外,SiC JFET还支持部分储能拓扑结构和固态断路器(SSCB)。
碳化硅(SiC)Cascode JFET
我们的高性能碳化硅共源共栅JFET(SiC cascode JFET)提供业界最优的开关速度、更低的开关损耗和更高的效率,能够实现高开关频率和低至5毫欧的超低导通电阻RDS(on),所需芯片面积不到其他任何技术的一半。提供标准通孔插入(包括 Kelvin)和表面贴装封装,性价比优异。采用独特的共源共栅配置,将高性能的SiC fast JFET与共源共栅优化的 Si MOSFET结合在一起。这一创新方法使SiC器件能够实现标准栅极驱动(0-12V)。同时,得益于较小的芯片尺寸和与现有驱动方案的兼容性,SiC cascode JFET提供了优化的系统性能和成本结构。
碳化硅(SiC)Combo JFET
安森美碳化硅(SiC)Combo-FET的推出是一次革新性的进步,将我们低RDS(on)的SiC JFET与Si MOSFET结合应用在一个紧凑的封装中。专为低频保护应用而设计,如电源单元(PSU)、AI数据中心机架的下游高压DC-DC转换器、固态断路器(SSCB)、电动汽车电池断开和浪涌保护等,SiC Combo-FET的使用能够帮助用户调节JFET栅极,以优化设计。而Si MOSFET的集成常开启(normally)的方案成立,与分立实现相比,所需尺寸减少超过 25%。

功率模块

碳化硅(SiC)模块

包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块可运用在DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,额定电压1200V。

硅/碳化硅混合模块

包括IGBT、硅二极管和碳化硅二极管,可运用在DC-AC级太阳能。

值得信赖的碳化硅伙伴


可靠供应,信心之选

安森美为您带来不一样的碳化硅。

了解详情

用于主驱逆变器的EliteSiC功率模块

用于主驱逆变器的EliteSiC功率模块提供裸片方案、单侧直接散热外壳模块和单面压铸模模块,全集成全碳化硅场效应管。

  • Direct - 单侧直接散热,6-Pack结构
  • B2 - 单侧直接散热,半桥结构

全碳化硅和混合碳化硅模块

我们优化的封装工艺为您带来:

  • 卓越的性能
  • 比分立器件更低的热阻
  • 易于安装的封装以适应行业标准的引脚
混合模块

更快的开关,更紧凑的终端产品

相比于行业领先的同类产品,1200V M3S EliteSiC MOSFET可减少硬开关应用中高达20%的功率损耗。

碳化硅MOSFET

EliteSiC碳化硅系列

EliteSiC系列MOSFET

系列

子系列

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主要应用

M1

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M1

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial Traction

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M2

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M2

On-Board Charger DC Fast EV Charging High Power Industrial Solar Inverter

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M3

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M3S

On-Board Charger DC Fast EV Charging Solar Inverter

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M3T

UPS/Energy Storage Traction High Power Industrial

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系列

电压

优化

最佳应用

M1

1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻


开关损耗和传导损耗的平衡

  • DC-DC固态继电器
  • 主驱&电机驱动器
  • 硬开关应用

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M2

650V, 750V, 1200V

低速应用的最低RDS(ON)

  • DC-DC固态继电器
  • 主驱&电机驱动器

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M3

1200V

配备15V-18V栅极驱动器的快速开关应用

  • 硬开关应用
  • LLC谐振应用

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EliteSiC系列二极管

系列

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主要应用

D1

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On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial

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D2

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On-Board Charger DC Fast EV Charging High Power Industrial

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D3

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On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial

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系列

电压

优化

最佳应用

D1

650V, 1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻以及最高浪涌电流额定值

  • Vienna整流器输入级

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D2

650V

低Vf的高速开关

  • PFC级
  • 输出整流

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D3

1200V

低Vf的高速开关

  • PFC级
  • 输出整流

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资源

评估/开发套件

适用于碳化硅产品的评估套件和评估板。

技术文档

适用于碳化硅产品的所有相关文档。

EliteSiC主驱逆变器功率模块助力下一代电动车

了解安森美针对包括车载充电机(OBC)在内的各种端到端碳化硅方案,向可持续能源未来迈进。

垂直整合是碳化硅功率器件生产的未来发展方向

了解选择垂直整合的供应商采购碳化硅的三大理由。

安森美双向OBC和可持续方案带来能源动力新发展

EliteSiC碳化硅系列模块能够比同类紧凑封装方案提供更优的性能、更高的能效和功率密度。

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