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碳化硅 (SiC)

安森美的EliteSiC系列碳化硅产品，以及端到端的碳化硅生产能力，为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。

产品分类

碳化硅 (SiC）二极管

我们的碳化硅二极管产品采用全新技术，提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。

硅二极管是众多机械设备广泛使用的一种元件，但对于追求更高效率的应用需求，现在有了一种新的选择。碳化硅二极管是一种开关性能更高的二极管。它们具有更高的功率密度和更高的整体效率。能量损耗的减少也有助于降低系统成本。

与硅二极管相比，碳化硅二极管效率更高，抗高温性能更优，能够在更高频率和更高电压的条件下工作。由于碳化硅二极管的恢复时间比硅二极管更快，因此非常适合需要从阻断快速过渡到导通状态的电流。SiC二极管的发热情况也不像硅二极管那样高，因此可用于温度更高的应用中，且效率更高。

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碳化硅 (SiC) MOSFET

我们的SiC MOSFET产品高速且坚固，并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。

MOSFET是指具有绝缘栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）。这些场效应晶体管通常由可控氧化硅制成，而SiC MOSFET是由碳化硅而不是硅制成的。

与硅MOSFET相比，选择SiC MOSFET有许多优势，例如开关频率更高。在使用 SiC MOSFET 模块时，也无需担心高温开发的问题，因为这些器件即使在高温条件下也能高效工作。此外，使用SiC MOSFET时，由于所有元件（电感器、滤波器等）的尺寸都更小，因此整体产品尺寸也更紧凑。

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碳化硅（SiC）MOSFET 裸芯片

安森美碳化硅（SiC）裸芯片专门优化用于高功率应用，如EV主驱逆变器、DC-DC转换器、非车载充电器等。

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碳化硅（SiC）JFET

安森美碳化硅（SiC）JFET是一种高性能、常开启型（normally-on）JFET晶体管，VDS-max范围为650V到1700V。提供高开关频率和低至4毫欧的超低导通电阻RDS (on)，所需芯片面积不到其他技术的一半。此外，低栅极电荷（Qg）得以进一步减少导通损耗和开关损耗。SiC JFET专为优化用于电源单元（PSU）和下游高压DC-DC转换，以应对未来AI数据中心机架的巨大功率需求。在电动汽车电池断开单元的应用中，通过使用基于SiC JFET的固态开关来替代多个组件，可提高运行效率和安全性。此外，SiC JFET还支持部分储能拓扑结构和固态断路器（SSCB）。

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碳化硅（SiC）Cascode JFET

我们的高性能碳化硅共源共栅JFET（SiC cascode JFET）提供业界最优的开关速度、更低的开关损耗和更高的效率，能够实现高开关频率和低至5毫欧的超低导通电阻RDS(on)，所需芯片面积不到其他任何技术的一半。提供标准通孔插入（包括 Kelvin）和表面贴装封装，性价比优异。采用独特的共源共栅配置，将高性能的SiC fast JFET与共源共栅优化的 Si MOSFET结合在一起。这一创新方法使SiC器件能够实现标准栅极驱动（0-12V）。同时，得益于较小的芯片尺寸和与现有驱动方案的兼容性，SiC cascode JFET提供了优化的系统性能和成本结构。

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碳化硅（SiC）Combo JFET

安森美碳化硅（SiC）Combo-FET的推出是一次革新性的进步，将我们低RDS(on)的SiC JFET与Si MOSFET结合应用在一个紧凑的封装中。专为低频保护应用而设计，如电源单元（PSU）、AI数据中心机架的下游高压DC-DC转换器、固态断路器（SSCB）、电动汽车电池断开和浪涌保护等，SiC Combo-FET的使用能够帮助用户调节JFET栅极，以优化设计。而Si MOSFET的集成常开启（normally）的方案成立，与分立实现相比，所需尺寸减少超过 25%。

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