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分立器件和功率模块

我们的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案,包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 (IPM)。

按技术分类

MOSFET
齐全的低、中、高压和双MOSFET产品组合,适用于各种应用。
功率模块
先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块 (IPM)。
碳化硅 (SiC)
安森美的EliteSiC系列碳化硅产品,以及端到端的碳化硅生产能力,为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。
受保护MOSFET
各种上下桥智能分立式保护型器件,提供同类最佳的浪涌电流管理。
整流器
包括标准整流器和快速恢复整流器,具有低功率损耗和高效率的理想性能。
肖特基二极管和肖特基整流器
低损耗和高电流的肖特基整流器和二极管,非常适合作为整流器、逆变器和二极管使用。
音频晶体管
用于高功率音频电路应用的音频晶体管。
达林顿晶体管
用于通用放大器和低速开关应用的达林顿晶体管和晶体管对。
ESD保护二极管
专门用于提供ESD和浪涌保护的保护二极管和阵列。
通用型低VCE(sat)晶体管
齐全的双极NPN、PNP和互补晶体管,包括低VCE(sat)晶体管。
数字晶体管(BRT)
具有集成偏置功能的偏置电阻晶体管(BRT),用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
JFET
用于低噪声放大器和阻抗转换、模拟开关和斩波器应用的N沟道、P沟道和NPN极性JFET。
小信号开关二极管
高速、小信号开关二极管产品组合,通用于各类应用。
齐纳二极管
专为稳压电路设计,提供广泛的工作电压和额定功率。
RF晶体管
专门适用于高频和通用放大器应用的射频(RF)晶体管。
RF二极管
用于高频应用的射频(RF)二极管产品组合,包括PIN二极管、肖特基势垒二极管和变容二极管。
单片微波集成电路(MMIC)
单片微波集成电路(MMIC)射频放大器和混频器,提供平坦度和高增益。
IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最高水平的可靠性。