分立器件和功率模块

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分立器件和功率模块

我们的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案，包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 (IPM)。

产品分类

MOSFET
硅MOSFET通过栅极电压控制源极和漏极之间的电流，因其在效率、速度和功率处理能力方面的优势而广泛应用于功率放大器、稳压器和开关电路中。
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功率模块
先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块 （IPM）。
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碳化硅 (SiC)
安森美的EliteSiC系列碳化硅产品，以及端到端的碳化硅生产能力，为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。
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IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最高水平的可靠性。
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受保护MOSFET
各种上下桥智能分立式保护型器件，提供同类最佳的浪涌电流管理。
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整流器
包括标准整流器和快速恢复整流器，具有低功率损耗和高效率的理想性能。
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肖特基二极管和肖特基整流器
低损耗和高电流的肖特基整流器和二极管，非常适合作为整流器、逆变器和二极管使用。
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音频晶体管
用于高功率音频电路应用的音频晶体管。
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达林顿晶体管
用于通用放大器和低速开关应用的达林顿晶体管和晶体管对。
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ESD保护二极管
专门用于提供ESD和浪涌保护的保护二极管和阵列。
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通用型低VCE(sat)晶体管
齐全的双极NPN、PNP和互补晶体管，包括低VCE(sat)晶体管。
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数字晶体管（BRT）
具有集成偏置功能的偏置电阻晶体管（BRT），用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
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JFET
用于低噪声放大器和阻抗转换、模拟开关和斩波器应用的N沟道、P沟道和NPN极性JFET。
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小信号开关二极管
高速、小信号开关二极管产品组合，通用于各类应用。
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齐纳二极管
专为稳压电路设计，提供广泛的工作电压和额定功率。
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RF晶体管
专门适用于高频和通用放大器应用的射频（RF）晶体管。
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RF二极管
用于高频应用的射频（RF）二极管产品组合，包括PIN二极管、肖特基势垒二极管和变容二极管。
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单片微波集成电路（MMIC）
单片微波集成电路（MMIC）射频放大器和混频器，提供平坦度和高增益。
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解决方案

采用安森美MOSFET产品的解决方案。

汽车

安森美提供各类汽车解决方案，包括先进驾驶辅助系统、汽车电气化、汽车网络和汽车照明等。

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工业

安森美先进的半导体解决方案，适用于工业自动化、能源基础设施、机器人技术等应用，提升应用效率和可靠性。

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