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热插拔
保护和简便性
热插拔内存、驱动器或其他外围设备的能力是服务器、计算和电信硬件的一项关键功能。安森美半导体的负载开关和 eFuse 产品阵容提供了一个将热插拔控制器和 MOSFET 集成到一个器件的简单、紧凑和高能效的方案。
安森美半导体具有用于 12 V、5 V 和 3.3 V 功率域的 eFuse，带有正在开发中的 48 V 可兼容器件。我们使用最新的 MOSFET 技术提供高能效、可靠和紧凑的热插拔能力，以及多种保护特性，如：
- 可配置过电流保护
- 过压和欠压保护
- 可调节输出摆率，以控制浪涌电流
- 高温关断
- 故障报告
- 自动重置
- 轻松并联
相关信息
| 应用注释 | 说明 |
|---|---|
| AND9495/D | NIS5431 和 NIS5452 性能和功能 |
| AND8343/D | NIS5132/5 演示板 |
| AND8259/D | NIS5112 热插拔评估板手册 |
| AND8283/D | NIS5112 瞬变性能 |
| AND9685/D | eFuse 负载电流管理 |
| AND8350 | eFuse 逆向电压保护 |
| AND9101/D | 补偿电容在 eFuse 电源线上的重要性 |
| AND9672/D | eFuse 的热插拔插入启动时间延迟 |
| AND9623/D | 并联 eFuse |
| AND9175/D | eFuse 的启用引脚操作和功能 |
| AND9513/D | eFuse 与 PTC 可复位熔丝的优点 |
| AND9175/D | イネーブル・ピンの動作とeFuseの機能 |
| AND9513/D | PTC復帰型ヒューズに対するeFuseの優位性 | 视频 | 说明 |
| WVD17635/D | 23A 集成式负载开关评估板 - NCP45560IMNGEVB |
| WVD17186/D | 负载开关，2 A 单路，用于低压轨评估板 - NCP456RFCCT2GEVB |
| WVD17515/D | 带超低导通电阻的受控负载开关评估板 - NCP45520IMNGEVB 测试过程 |
| WVD17546/D | 带自动放电路径的 3.0 A 受控负载开关评估板 - NCP451FCT2GEVB |
| WVD17519/D | 单片集成电路电子熔丝评估板 - NIS5132-35GEVB 测试过程 |
| TND6123/D | 使用 NIS5232-35GEVB 的母板电源管理 (eFuse) 方案 评估板 |
| WVD17645/D | 带多个支电路的 eFuse 测试板：NIS5431MT1GEVB |
| WVD17657/D | +12 V 电子熔丝 - NIS5820MT1GEVB |
| WVD17659/D | +12 V 电子熔丝：NIS5021MT1GEVB |
评估板和套件
| 评估板 | 说明 |
|---|---|
| NCP459FCT2GEVB | 负载开关，4 A 评估板 |
| NCP451FCT2GEVB | 带自动放电路径的 3.0 A 受控负载开关评估板 |
| NCP457FCT2GEVB | 用于低压轨的 2 A 单路负载开关评估板 |
| NCP458RFCT2GEVB | 负载开关，4 A 评估板 |
| NCP45521IMNGEVB | 带超低导通电阻的集成式负载开关，11.5A，评估板 |
| NCP45520IMNGEVB | 带超低导通电阻的受控负载开关评估板 |
| NCP45560IMNGEVB | 带超低导通电阻的集成式负载开关，23A，评估板 |
| NIS5232-35GEVB | NIS5232-35 电子熔丝评估板 |
| NIS5452MT1GEVB | 带多个支电路的 eFuse 测试板，用于评估过电压保护、 过电流保护、受控摆率和高温关断特性 评估板 |
| NIS5431MT1GEVB | 带多个支电路的 eFuse 测试板，用于评估过电压保护、 过电流保护、受控摆率和高温关断特性 评估板 |
